Materiais bidimensionais (2D) vêm recebendo atenção cada vez maior no campo da nanotecnologia por apresentarem propriedades inusitadas e de alto potencial para uso em aplicações. Em particular no campo da eletrônica, é fundamental que se possa controlar com precisão os estados eletrônicos da superfície de materiais 2D.
Nesse sentido, uma contribuição importante foi recentemente publicada por um grupo de pesquisadores nos Estados Unidos e no Brasil. Eles desenvolveram um método que controla os estados eletrônicos a partir de uma reação de ácido de Lewis e base que não altera a estrutura do material.
Até agora, essa funcionalização química envolvia defeitos na estrutura dos átomos e outras perturbações que alteram as características geométricas e topológicas das camadas atômicas. Daí a inovação no método proposto, publicado em artigo na Nature Nanotechnology em 1 de fevereiro: ele não exige nada disso.
O trabalho contou com a participação de Gustavo Brunetto e Douglas S. Galvão, do Departamento de Física Aplicada da Unicamp (Universidade Estadual de Campinas), em São Paulo. Os brasileiros contribuíram com cálculos, e os experimentos foram realizados na Universidade Rice, em Houston, no Texas.
A técnica foi testada em camadas atômicas de índio e selênio em reação com titânio. Foi possível fabricar junções p-n na camada bidimensional de InSe com propriedades fotovoltaicas e retificação melhoradas.
Para ler o artigo, clique aqui (resumo de acesso livre, texto completo para assinantes).