Cálculos de uma equipe de pesquisadores da Universidade Federal Fluminense (UFF), com colaboradores da Universidade Federal do Rio de Janeiro (UFRJ) e da Universidade do Norte do Texas, Estados Unidos, mostraram que materiais quase compostos por apenas duas camadas atômicas de dissulfeto de molibdênio (MoS2), ou de outros compostos da família dos dicalcogenetos de metais de transição, podem ser o alvo ideal para se observar em laboratório o chamado efeito Hall orbital. Aprender a controlar esse fenômeno em materiais isolantes topológicos será essencial para o desenvolvimento da “orbitrônica”, uma alternativa mais eficiente à eletrônica, que utilizaria o momento angular orbital de elétrons para armazenar e processar informação.
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